國(guó)產(chǎn)工業(yè)CT即工業(yè)計(jì)算機(jī)斷層掃描成像，它能在對(duì)檢測(cè)物體無(wú)損傷條件下，以二維斷層圖像或三維立體圖像的形式，清晰、準(zhǔn)確、直觀地展示被檢測(cè)物體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、組成、材質(zhì)及缺損狀況。
 

　　國(guó)產(chǎn)工業(yè)CT部件的發(fā)展現(xiàn)狀輻射源射線源常用X射線探傷機(jī)和直線加速器。X射線機(jī)的峰值能量范圍從數(shù)十到450keV，且射線能量和強(qiáng)度都是可調(diào)的;直線加速器的射線能量一般不可調(diào)，常用的峰值射線能量范圍在1一16MeV。其共同優(yōu)點(diǎn)是切斷電源以后就不再產(chǎn)生射線，焦點(diǎn)尺寸可做到微米量級(jí)，甚至納米量級(jí)。探測(cè)器目前常用的探測(cè)器主要有高分辨CMOS半導(dǎo)體芯片、平板探測(cè)器和閃爍探測(cè)器三種類型。半導(dǎo)體芯片具有小的像素尺寸和大的探測(cè)單元數(shù)，像素尺寸可小到10μm左右。平板探測(cè)器通常用表面覆蓋數(shù)百微米的閃爍晶體(如CsI)的非晶態(tài)硅或非晶態(tài)硒做成，像素尺寸約127μm，其圖像質(zhì)量接近于膠片照相。閃爍探測(cè)器的優(yōu)點(diǎn)是探測(cè)效率高，尤其在高能條件下，它可以達(dá)到16~20bit的動(dòng)態(tài)范圍，且讀出速度在微秒量級(jí)。其主要缺點(diǎn)是像素尺寸較大，其相鄰間隔(節(jié)距)一般≥0.1mm。樣品掃描系統(tǒng)樣品掃描系統(tǒng)從本質(zhì)上說(shuō)是一個(gè)位置數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。
 

　　國(guó)產(chǎn)工業(yè)CT常用的掃描方式是平移一旋轉(zhuǎn)(TR)方式和只旋轉(zhuǎn)(RO)方式兩種。RO掃描方式射線利用效率較高，成像速度較快。但TR掃描方式的偽像水平遠(yuǎn)低于RO掃描方式，且可以根據(jù)樣品大小方便地改變掃描參數(shù)(采樣數(shù)據(jù)密度和掃描范圍)。特別是檢測(cè)大尺寸樣品時(shí)其*性更加明顯，源探測(cè)器距離可以較小，以提高信號(hào)幅度等。3D顯示計(jì)算機(jī)軟件圖像處理及計(jì)算能力方面的進(jìn)步同樣是促使該技術(shù)不斷發(fā)展進(jìn)步的一個(gè)重要因素，甚至可以說(shuō)，沒(méi)有計(jì)算機(jī)軟件方面的進(jìn)步，就沒(méi)有工業(yè)CT掃描技術(shù)應(yīng)用如此廣泛的今天。